Sostenitore Apple” post=78065`\begin{equation}
I_\textup{c}=I_\textup{s}e^{\dfrac{V_\textup{be}}{V_\textup{t}}},
\label{eq:bjt}
\end{equation}
dove $I_\textup{s}$ rappresenta un parametro tecnologico-costruttivo dei transistori detto \emph{corrente di saturazione
inversa} mentre $V_\textup{t}$ rappresenta una grandezza detta \emph{equivalente termico della temperatura}`
Per continuare a fare il precisino (perdonami ma lo faccio solo nel tuo interesse), c, s e be vanno scritti in maiuscolo. Per quanto riguarda la t, le norme CEI con ambito elettrotecnico raccomandano il pedice dritto th per “termico”. Nella letteratura in lingua anglosassone, viene usata la T maiuscola corsiva per la tensione termica (che tu chiami equivalente termico della temperatura 😕 ) perché in essa la temperatura è quella termodinamica assoluta (corsivo perché il richiamo è alla temperatura che è una grandezza), mentre la t minuscola viene riservata alla tensione di soglia (threshold). E per concludere, avrei delle riserve sul fatto che la corrente di saturazione sia un parametro tecnologico-costruttivo, ma forse ho capito male cosa vuoi dire. Per me un parametro tecnologico-costruttivo è un valore che si può assegnare in fase di progettazione nel rispetto delle regole di progetto della tecnologia adottata.
Ciao